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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响：

本底真空度: 本底真空度越高炉内杂气量(包括水气)越少,这保证镀膜时反应气体的纯度,从而保证膜层颜色的纯正和光泽鲜亮。一般本底真空应该进入5-7*10-3。

离子镀是真空镀膜工艺”的一项新发展。普通真空镀膜（亦称真空蒸镀）时，工件夹在真空罩内，当高温蒸发源通电加热后，促使待镀材料——蒸发料熔化蒸发。由于温，蒸发料粒子获得一定动能，则沿着视线方向徐徐上升，后附着于工件表面上堆积膜。但是在磁控溅射装置中，磁极轴线处离子密度很低，所以这类电子很小，对基片温升作用不大。用这种工艺形成的镀层，与零件表面既无牢固的化学结合，有无扩散连接，附着能很差，有时就像桌面上落的灰尘一样，用手一摸也会擦掉。

PLD缺点：1、在镀膜过程中，薄膜会被沉积在薄膜上的等离子本管中产生的微粒、气态原子和分子降低质量，采取一定的措施后也

不能完全消除.2、在控制掺杂、生长平滑的多层膜等方面PLD生长部比较困难，因此进一步提高薄膜的质量会比较困难.